Agregar a favoritos
DS1230Y-200+ Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 256Kb (32K x 8) Paralelo 200ns 28-EDIP
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 25.21000 $25.21
12 23.47417 $281.69
36 23.21583 $835.77
60 22.64300 $1,358.58
108 19.87898 $2,146.93
252 19.20579 $4,839.86
504 18.69022 $9,419.87

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key DS1230Y-200+-ND
Copiar   DS1230Y-200+-ND
Cantidad disponible 116
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 492
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

DS1230Y-200+

Copiar   DS1230Y-200+
Descripción IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Copiar   IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Descripción detallada

Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 256Kb (32K x 8) Paralelo 200ns 28-EDIP

Copiar   Memoria IC NVSRAM (SRAM no volátil) 256Kb (32K x 8) Paralelo 200ns 28-EDIP
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Maxim Integrated
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria NVSRAM
Tecnología NVSRAM (SRAM no volátil)
Capacidad de memoria 256Kb (32K x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 200 ns
Tiempo de acceso 200ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de operación 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) Módulo 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 28-EDIP
Número de pieza base DS1230Y
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 12

17:23:24 4/20/2019