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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VMO580-02F-ND
Cantidad disponible 46
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

VMO580-02F

Descripción MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 200V 580 A (Tc) Y3-Li

Documentos y medios
Hojas de datos VMO580-02F
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 580 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 50 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2750nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 430 A, 10 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor Y3-Li
Paquete / Caja (carcasa) Y3-Li
Número de pieza base VMO
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2
Otros nombres Q1221985A
VMO58002F

20:53:16 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 139.75000 $139.75
10 130.61500 $1,306.15
25 126.04840 $3,151.21

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