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VMO580-02F Canal N Montaje de chasis 200V 580 A (Tc) Y3-Li
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key VMO580-02F-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

VMO580-02F

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Descripción MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 200V 580 A (Tc) Y3-Li

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Documentos y medios
Hojas de datos VMO580-02F
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 580 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8mOhm a 430A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 50mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2750nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor Y3-Li
Paquete / Caja (carcasa) Y3-Li
Número de pieza base VMO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2
Otros nombres Q1221985A
VMO58002F

23:49:33 5/19/2019