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VMO580-02F Canal N Montaje de chasis 200V 580 A (Tc) Y3-Li
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10 107.98800 $1,079.88
25 105.69000 $2,642.25
100 96.49950 $9,649.95
250 95.73360 $23,933.40
500 91.90426 $45,952.13

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VMO580-02F

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Descripción MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 200V 580 A (Tc) Y3-Li

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Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Embalaje Granel 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 580 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.8mOhm a 430A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 50mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2750nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor Y3-Li
Paquete / Caja (carcasa) Y3-Li
Número de pieza base VMO
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
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Recursos adicionales
Envase estándar 2
Otros nombres Q1221985A
VMO58002F