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IXTY08N50D2 Canal N Montaje en superficie 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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25 1.35000 $33.75
100 1.05300 $105.30
250 1.02600 $256.50
500 0.89100 $445.50
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IXTY08N50D2

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTY08N50D2
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Descripción MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
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Plazo estándar del fabricante 19 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)08N50D2
Producto destacado Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.6Ohm a 400mA, 0V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12.7nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 312pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 60W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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