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IXTY08N100D2 Canal N Montaje en superficie 1000V 800 mA (Tc) 60 W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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70 2.00000 $140.00
140 1.80000 $252.00
560 1.40000 $784.00
1,050 1.16000 $1,218.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTY08N100D2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTY08N100D2

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 800 mA (Tc) 60 W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)08N100D2
Producto destacado Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21 Ohm a 400 mA, 0 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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