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IXTY01N100D Canal N Montaje en superficie 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) TO-252, (D-Pak)
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1 2.36000 $2.36
10 2.12000 $21.20
25 2.00000 $50.00
100 1.56000 $156.00
250 1.52000 $380.00
500 1.32000 $660.00
1,000 1.12000 $1,120.00
2,500 1.10400 $2,760.00
5,000 1.02400 $5,120.00

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IXTY01N100D

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTY01N100D
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Descripción MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) TO-252, (D-Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(P,U,Y)01N100D
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110Ohm a 50mA, 0V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 120pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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