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IXTY01N100 Canal N Montaje en superficie 1000V 100 mA (Tc) 25 W (Tc) TO-252AA
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140 1.53450 $214.83
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTY01N100-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTY01N100

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 100 mA (Tc) 25 W (Tc) TO-252AA

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(U,Y)01N100
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 Ohm a 100 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 25 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.9nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 54pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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Envase estándar ? 70
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IXTY01N100CT-ND

16:29:40 11/19/2018