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IXTX32P60P Canal P Orificio pasante 600V 32 A (Tc) 890 W (Tc) PLUS247™-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTX32P60P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTX32P60P

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Descripción MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 600V 32 A (Tc) 890 W (Tc) PLUS247™-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(K,X)32P60P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarP™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 350 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 196nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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