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IXTX120N65X2 Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250W (Tc) PLUS247™-3
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10 15.44000 $154.40
25 14.80000 $370.00
100 12.80000 $1,280.00
250 12.40000 $3,100.00
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IXTX120N65X2

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Número de pieza del fabricante IXTX120N65X2
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Descripción MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250W (Tc) PLUS247™-3

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Hojas de datos IXT(K,X)120N65X2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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