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IXTU8N70X2 Canal N Orificio pasante 700V 8 A (Tc) 150 W (Tc) TO-251-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 $2.73
75 2.20000 $165.00
150 1.98000 $297.00
525 1.54000 $808.50
1,050 1.27600 $1,339.80

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTU8N70X2-ND
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Cantidad disponible 62
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTU8N70X2

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 700V 8 A (Tc) 150 W (Tc) TO-251-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTx8N70X2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 700V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 800pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75

22:32:35 10/21/2018