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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTT1N250HV-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTT1N250HV

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Descripción MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 2500V 1.5 A (Tc) 250W (Tc) TO-268

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTT1N250HV
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 2500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40Ohm a 750mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1660pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / Caja (carcasa) TO-268-2, D³Pak (2 conductores + lengüeta), TO-268AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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Recursos adicionales
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05:52:42 4/22/2019