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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTR102N65X2-ND
Cantidad disponible 106
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTR102N65X2

Descripción MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 54 A (Tc) 330 W (Tc) ISOPLUS247™

Documentos y medios
Hojas de datos IXTR102N65X2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 54 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 330 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 33 mOhm a 51 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS247™
Paquete / Caja (carcasa) ISOPLUS247™
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 632316

16:04:38 2/21/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 16.46000 $16.46
10 14.96000 $149.60
100 12.71600 $1,271.60

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