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IXTQ14N60P Canal N Orificio pasante 600V 14 A (Tc) 300 W (Tc) TO-3P
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTQ14N60P-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTQ14N60P

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Descripción MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 14 A (Tc) 300 W (Tc) TO-3P

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P,Q) 14N60P
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarHV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 550 mOhm a 7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
30 3.33800 $100.14

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06:46:31 9/19/2018