Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTQ130N10T-ND
Cantidad disponible 131
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTQ130N10T

Descripción MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 130 A (Tc) 360 W (Tc) TO-3P

Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,Q)130N10T
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie TrenchMV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 130 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.1 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 104nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5080pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 360 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

13:35:02 6/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.48000 $3.48
10 3.10500 $31.05
100 2.54610 $254.61
500 2.06172 $1,030.86
1,000 1.73880 $1,738.80

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario