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IXTP80N10T Canal N Orificio pasante 100V 80 A (Tc) 230W (Tc) TO-220AB
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.45000 $2.45
10 2.20000 $22.00
25 2.07520 $51.88
100 1.61850 $161.85
250 1.57700 $394.25
500 1.36950 $684.75
1,000 1.16200 $1,162.00
2,500 1.14540 $2,863.50
5,000 1.06240 $5,312.00

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IXTP80N10T

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTP80N10T
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Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 80 A (Tc) 230W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)80N10T
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Fabricante IXYS
Serie TrenchMV™
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3040pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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