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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP3N120-ND
Cantidad disponible 121
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP3N120

Descripción MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Plazo estándar del fabricante 4 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1200V 3 A (Tc) 200 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)3N120
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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  • Precio unitario $7.18000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

11:14:21 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.99000 $6.99
10 6.24300 $62.43
100 5.11890 $511.89
500 4.14502 $2,072.51
1,000 3.49580 $3,495.80

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