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IXTP18P10T Canal P Orificio pasante 100V 18 A (Tc) 83 W (Tc) TO-220AB
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.05000 $2.05
50 1.65000 $82.50
100 1.48500 $148.50
500 1.15500 $577.50
1,000 0.95700 $957.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP18P10T-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTP18P10T

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Descripción MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 18 A (Tc) 83 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)18P10T
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie TrenchP™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 120 mOhm a 9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2100pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $5.54000
  • IXTP52P10P-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

05:56:54 12/13/2018