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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTP01N100D-ND
Cantidad disponible 2,629
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXTP01N100D

Descripción MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 100 mA (Tc) 1.1 W (Ta), 25 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos IXT(P,U,Y)01N100D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 120pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 1.1 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 Ohm a 50 mA, 0 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 607074
Q1614635

05:37:04 2/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.93000 $4.93
10 4.40000 $44.00
100 3.60800 $360.80
500 2.92160 $1,460.80
1,000 2.46400 $2,464.00

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