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IXTN660N04T4 Canal N Montaje de chasis 40V 660 A (Tc) 1040 W (Tc) SOT-227B
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN660N04T4-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTN660N04T4

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Descripción 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 40V 660 A (Tc) 1040 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTN660N04T4
Trench4 Power MOSFETs Product Brief
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie TrenchT4™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 660 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 0.85 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 860nC @ 10V
Vgs (máx.) ±15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 44000pF @ 25V
Característica de FET Detección de corriente
Disipación de potencia (máx.) 1040 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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