Agregar a favoritos
IXTN600N04T2 Canal N Montaje de chasis 40V 600 A (Tc) 940 W (Tc) SOT-227B
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 27.57000 $27.57
10 25.49900 $254.99
100 21.77710 $2,177.71

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN600N04T2-ND
Copiar   IXTN600N04T2-ND
Cantidad disponible 399
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXTN600N04T2

Copiar   IXTN600N04T2
Descripción MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Copiar   MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 40V 600 A (Tc) 940 W (Tc) SOT-227B

Copiar   Canal N Montaje de chasis 40V 600 A (Tc) 940 W (Tc) SOT-227B
Documentos y medios
Hojas de datos IXTN600N04T2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie GigaMOS™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 600 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.05 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 590nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 40000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 940 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • IXFN360N10T - IXYS | IXFN360N10T-ND DigiKey Electronics
  • IXFN360N10T
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  • Precio unitario $20.99000
  • IXFN360N10T-ND
  • IXTN660N04T4 - IXYS | IXTN660N04T4-ND DigiKey Electronics
  • IXTN660N04T4
  • IXYS
  • 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
  • Precio unitario $23.23000
  • IXTN660N04T4-ND
  • IRL40SC228 - Infineon Technologies | IRL40SC228CT-ND DigiKey Electronics
  • IRL40SC228
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
  • Precio unitario $9.03000
  • IRL40SC228CT-ND
  • VMO1200-01F - IXYS | VMO1200-01F-ND DigiKey Electronics
  • VMO1200-01F
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
  • Precio unitario $149.86000
  • VMO1200-01F-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

03:33:29 11/14/2018