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IXTN550N055T2 Canal N Montaje de chasis 55V 550 A (Tc) 940 W (Tc) SOT-227B
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN550N055T2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTN550N055T2

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Descripción MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 55V 550 A (Tc) 940 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTN550N055T2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie GigaMOS™, TrenchT2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 550 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 595nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 40000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 940 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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