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IXTN40P50P Canal P Montaje de chasis 500V 40 A (Tc) 890W (Tc) SOT-227B
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 26.00000 $26.00
10 24.05000 $240.50
30 22.10000 $663.00
100 20.54000 $2,054.00
250 18.85000 $4,712.50
500 17.94000 $8,970.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN40P50P-ND
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Cantidad disponible 132
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTN40P50P

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Descripción MOSFET P-CH 500V 40A SOT227
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje de chasis 500V 40 A (Tc) 890W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTN40P50P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarP™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 40 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230mOhm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 205nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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08:56:05 4/26/2019