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IXTN22N100L Canal N Montaje de chasis 1000V 22 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B
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1 42.03000 $42.03
10 39.30600 $393.06
30 36.35200 $1,090.56
100 34.08000 $3,408.00
250 31.80800 $7,952.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN22N100L-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTN22N100L

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 22 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTN22N100L
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 11 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270nC @ 15V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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09:53:24 11/20/2018