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IXTN102N65X2 Canal N Montaje de chasis 650V 76 A (Tc) 595 AW (Tc) SOT-227
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTN102N65X2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTN102N65X2

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Descripción MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 650V 76 A (Tc) 595 AW (Tc) SOT-227

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Hojas de datos IXTN102N65X2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30 mOhm a 51 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 595 AW (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

13:40:01 12/15/2018