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IXTN102N65X2 Canal N Montaje de chasis 650V 76 A (Tc) 595AW (Tc) SOT-227
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10 21.21800 $212.18
25 20.26400 $506.60
100 17.88000 $1,788.00
250 16.68800 $4,172.00
500 15.25760 $7,628.80

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IXTN102N65X2

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTN102N65X2
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Descripción MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 650V 76 A (Tc) 595AW (Tc) SOT-227

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 76 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30mOhm a 51A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 595AW (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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