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IXTK170P10P Canal P Orificio pasante 100V 170 A (Tc) 890 W (Tc) TO-264 (IXTK)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTK170P10P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTK170P10P

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Descripción MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 170 A (Tc) 890 W (Tc) TO-264 (IXTK)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(K,X)170P10P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarP™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 170 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264 (IXTK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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