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IXTK110N20L2 Canal N Orificio pasante 200V 110 A (Tc) 960 W (Tc) TO-264 (IXTK)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTK110N20L2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTK110N20L2

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Descripción MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 110 A (Tc) 960 W (Tc) TO-264 (IXTK)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(K,X)110N20L2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie Linear L2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 55 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 500nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264 (IXTK)
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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