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250 4.03200 $1,008.00
500 3.78000 $1,890.00
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IXTH6N50D2

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Número de pieza de Digi-Key IXTH6N50D2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTH6N50D2
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Descripción MOSFET N-CH 500V 6A TO247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 6 A (Tc) 300W (Tc) TO-247 (IXTH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P,H)6N50D2
Producto destacado Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500mOhm a 3A, 0V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 96nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 300W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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