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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH64N65X-ND
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Cantidad disponible 18
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTH64N65X

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Descripción MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 64 A (Tc) 890 W (Tc) TO-247 (IXTH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTH64N65X
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 64 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 51 mOhm a 32 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 143nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 890 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

20:03:45 10/18/2018