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IXTH1N200P3HV Canal N Orificio pasante 2000V 1 A (Tc) 125 W (Tc) TO-247HV
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30 5.70500 $171.15
120 5.14858 $617.83
510 4.31365 $2,199.96
1,020 3.75705 $3,832.19

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH1N200P3HV-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTH1N200P3HV

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Descripción MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 2000V 1 A (Tc) 125 W (Tc) TO-247HV

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Documentos y medios
Hojas de datos IXTx1N200P3(HV)
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 2000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 23.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 646pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247HV
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3 variante
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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