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25 5.61720 $140.43
100 4.65800 $465.80
250 4.38400 $1,096.00
500 4.11000 $2,055.00
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IXTH110N25T

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IXTH110N25T-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXTH110N25T
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Descripción MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 110 A (Tc) 694W (Tc) TO-247 (IXTH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,V)110N25T(S)
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 157nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 694W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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