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30 6.17867 $185.36
120 5.57592 $669.11
510 4.67171 $2,382.57
1,020 4.06890 $4,150.28

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTH110N25T-ND
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Cantidad disponible 280
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTH110N25T

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Descripción MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 250V 110 A (Tc) 694 W (Tc) TO-247 (IXTH)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(H,V)110N25T(S)
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 110 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 55 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 157nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 694 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

12:35:45 11/13/2018