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IXTB62N50L Canal N Orificio pasante 500V 62 A (Tc) 800 W (Tc) PLUS264™
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Información general del producto
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Número de pieza del fabricante

IXTB62N50L

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Descripción MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 62 A (Tc) 800 W (Tc) PLUS264™

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Fabricante IXYS
Serie -
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Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 62 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 31 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 550nC @ 20V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 800 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS264™
Paquete / Caja (carcasa) TO-264-3, TO-264AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25

13:48:34 10/16/2018