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IXTA8N50P Canal N Montaje en superficie 500V 8 A (Tc) 150 W (Tc) TO-263 (IXTA)
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Cantidad
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1 2.66000 $2.66
50 2.14500 $107.25
100 1.93050 $193.05
500 1.50150 $750.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTA8N50P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXTA8N50P

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Descripción MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 8 A (Tc) 150 W (Tc) TO-263 (IXTA)

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Documentos y medios
Hojas de datos IXT(A,P)8N50P
Obsolescencia PCN/ EOL Mule Devices EOL 21/Mar/2018
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarHV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800 mOhm a 4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

09:25:11 10/18/2018