Agregar a favoritos
IXTA08N100D2 Canal N Montaje en superficie 1000V 800 mA (Tc) 60 W (Tc) TO-263 (IXTA)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.05000 $2.05
50 1.65000 $82.50
100 1.48500 $148.50
500 1.15500 $577.50
1,000 0.95700 $957.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXTA08N100D2-ND
Copiar   IXTA08N100D2-ND
Cantidad disponible 796
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXTA08N100D2

Copiar   IXTA08N100D2
Descripción MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Copiar   MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 1000V 800 mA (Tc) 60 W (Tc) TO-263 (IXTA)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 1000V 800 mA (Tc) 60 W (Tc) TO-263 (IXTA)
Documentos y medios
Hojas de datos IXT(Y,A,P)08N100D2
Producto destacado Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 21 Ohm a 400 mA, 0 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.6nC @ 5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 325pF @ 25V
Característica de FET Modo de exclusión
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
También le puede interesar
  • IXFA4N100Q - IXYS | IXFA4N100Q-ND DigiKey Electronics
  • IXFA4N100Q
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
  • Precio unitario $7.61000
  • IXFA4N100Q-ND
  • IXTP3N100D2 - IXYS | IXTP3N100D2-ND DigiKey Electronics
  • IXTP3N100D2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
  • Precio unitario $3.21000
  • IXTP3N100D2-ND
  • FQB5N90TM - ON Semiconductor | FQB5N90TMCT-ND DigiKey Electronics
  • FQB5N90TM
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
  • Precio unitario $2.60000
  • FQB5N90TMCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

13:02:41 11/13/2018