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IXFY4N85X Canal N Montaje en superficie 850V 3.5 A (Tc) 150 W (Tc) TO-252 (IXFY)
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1 3.34000 $3.34
70 2.69500 $188.65
140 2.42550 $339.57
560 1.88650 $1,056.44
1,050 1.56310 $1,641.26

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFY4N85X-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFY4N85X

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Descripción MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 850V 3.5 A (Tc) 150 W (Tc) TO-252 (IXFY)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 850V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 247pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252 (IXFY)
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $2.97000
  • IXFA8N85XHV-ND
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14:26:07 10/16/2018