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IXFX32N100P Canal N Orificio pasante 1000V 32 A (Tc) 960 W (Tc) PLUS247™-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX32N100P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFX32N100P

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 32 A (Tc) 960 W (Tc) PLUS247™-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)32N100P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 320 mOhm a 16 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 6.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

20:43:33 10/21/2018