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IXFX320N17T2 Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670W (Tc) PLUS247™-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 20.40000 $20.40
10 18.81500 $188.15
25 17.96920 $449.23
100 15.85500 $1,585.50
500 13.52960 $6,764.80
1,000 13.31820 $13,318.20
2,500 13.00110 $32,502.75
5,000 12.68400 $63,420.00

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IXFX320N17T2

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Número de pieza de Digi-Key IXFX320N17T2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IXFX320N17T2
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Descripción MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
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Plazo estándar del fabricante 27 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670W (Tc) PLUS247™-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)320N17T2
Producto destacado GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
Hoja de datos de HTML IXF(K,X)320N17T2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie GigaMOS™
Embalaje Tubo 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 170V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 5.2mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 640nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1670W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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