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IXFX320N17T2 Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670W (Tc) PLUS247™-3
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1 21.14000 $21.14
30 17.96900 $539.07
120 16.70058 $2,004.07
510 14.79800 $7,546.98

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX320N17T2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFX320N17T2

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Descripción MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 170V 320 A (Tc) 1670W (Tc) PLUS247™-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)320N17T2
Producto destacado GigaMOS™ TrenchT2™ Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie GigaMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 170V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 320 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 640nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1670W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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