Agregar a favoritos
IXFX120N65X2 Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250 W (Tc) PLUS247™-3
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 19.94000 $19.94
30 16.76833 $503.05
120 15.40883 $1,849.06

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFX120N65X2-ND
Copiar   IXFX120N65X2-ND
Cantidad disponible 312
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXFX120N65X2

Copiar   IXFX120N65X2
Descripción MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Copiar   MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250 W (Tc) PLUS247™-3

Copiar   Canal N Orificio pasante 650V 120 A (Tc) 1250 W (Tc) PLUS247™-3
Documentos y medios
Hojas de datos IXF(K,X)120N65X2
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 24 mOhm a 60 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1250 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PLUS247™-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
También le puede interesar
  • IXFB150N65X2 - IXYS | IXFB150N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFB150N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
  • Precio unitario $25.96000
  • IXFB150N65X2-ND
  • STY139N65M5 - STMicroelectronics | 497-13043-5-ND DigiKey Electronics
  • STY139N65M5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
  • Precio unitario $30.80000
  • 497-13043-5-ND
  • STW88N65M5 - STMicroelectronics | 497-12116-ND DigiKey Electronics
  • STW88N65M5
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 84A TO-247
  • Precio unitario $22.99000
  • 497-12116-ND
  • SCT3022ALGC11 - Rohm Semiconductor | SCT3022ALGC11-ND DigiKey Electronics
  • SCT3022ALGC11
  • Rohm Semiconductor
  • MOSFET NCH 650V 93A TO247N
  • Precio unitario $42.08000
  • SCT3022ALGC11-ND
  • SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor | SCT3030ALGC11-ND DigiKey Electronics
  • SCT3030ALGC11
  • Rohm Semiconductor
  • MOSFET NCH 650V 70A TO247N
  • Precio unitario $24.72000
  • SCT3030ALGC11-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

10:27:15 11/18/2018