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IXFR200N10P Canal N Orificio pasante 100V 133 A (Tc) 300 W (Tc) ISOPLUS247™
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Número de pieza de Digi-Key IXFR200N10P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFR200N10P

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Descripción MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 133 A (Tc) 300 W (Tc) ISOPLUS247™

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Hojas de datos IXFR200N10P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 133 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 235nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor ISOPLUS247™
Paquete / Caja (carcasa) ISOPLUS247™
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

08:11:55 2/17/2019