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IXFP4N85XM Canal N Orificio pasante 850V 3.5 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.73000 $2.73
50 2.20000 $110.00
100 1.98000 $198.00
500 1.54000 $770.00
1,000 1.27600 $1,276.00

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFP4N85XM-ND
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Número de pieza del fabricante

IXFP4N85XM

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Descripción MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 850V 3.5 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220

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Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 850V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 Ohm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 247pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $5.33000
  • IXFP14N85XM-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

20:02:02 10/23/2018