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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFP4N100Q-ND
Cantidad disponible 165
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IXFP4N100Q

Descripción MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 4 A (Tc) 150 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos IXF(A,P)4N100Q
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1.5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 39nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 2 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

10:50:37 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.56000 $6.56
10 5.85800 $58.58
100 4.80320 $480.32
500 3.88938 $1,944.69
1,000 3.28020 $3,280.20

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