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IXFN90N85X Canal N Montaje de chasis 850V 90 A (Tc) 1200W (Tc) SOT-227B
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN90N85X-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN90N85X

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Descripción 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 850V 90 A (Tc) 1200W (Tc) SOT-227B

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Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 850V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 340nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1200W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $34.36000
  • IXFN150N65X2-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

20:02:47 1/22/2019