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IXFN60N80P Canal N Montaje de chasis 800V 53 A (Tc) 1040W (Tc) SOT-227B
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1 28.10000 $28.10
10 25.99300 $259.93
30 23.88500 $716.55
100 22.19900 $2,219.90
250 20.37252 $5,093.13
500 19.38900 $9,694.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN60N80P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN60N80P

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Descripción MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 800V 53 A (Tc) 1040W (Tc) SOT-227B

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Hojas de datos IXFN60N80P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie PolarHV™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 53 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 140mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1040W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

23:19:37 4/20/2019