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IXFN60N60 Canal N Montaje de chasis 600V 60 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B
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1 47.30000 $47.30
10 44.23600 $442.36
30 40.91200 $1,227.36
100 38.35500 $3,835.50
250 35.79800 $8,949.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN60N60-ND
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Número de pieza del fabricante

IXFN60N60

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Descripción MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 600V 60 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B

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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 380nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
California Prop 65
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  • Precio unitario $23.32000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

13:45:28 10/17/2018