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IXFN50N80Q2 Canal N Montaje de chasis 800V 50 A (Tc) 1135 W (Tc) SOT-227B
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10 40.67200 $406.72
30 37.61600 $1,128.48
100 35.26500 $3,526.50
250 32.91400 $8,228.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN50N80Q2-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN50N80Q2

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Descripción MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 800V 50 A (Tc) 1135 W (Tc) SOT-227B

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Hojas de datos IXFN50N80Q2
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1135 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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  • Precio unitario $28.10000
  • IXFN60N80P-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

22:29:00 11/14/2018