Agregar a favoritos
IXFN48N50 Canal N Montaje de chasis 500V 48 A (Tc) 520 W (Tc) SOT-227B
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24.28000 $24.28
10 22.45900 $224.59
30 20.63800 $619.14
100 19.18120 $1,918.12
250 17.60300 $4,400.75
500 16.75320 $8,376.60

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN48N50-ND
Copiar   IXFN48N50-ND
Cantidad disponible 1,105
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXFN48N50

Copiar   IXFN48N50
Descripción MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Copiar   MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 500V 48 A (Tc) 520 W (Tc) SOT-227B

Copiar   Canal N Montaje de chasis 500V 48 A (Tc) 520 W (Tc) SOT-227B
Documentos y medios
Hojas de datos IXFx4xN50
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 48 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 270nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

20:07:18 11/14/2018