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IXFN38N100P Canal N Montaje de chasis 1000V 38 A (Tc) 1000W (Tc) SOT-227B
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1 37.40000 $37.40
10 34.59500 $345.95
30 31.79000 $953.70
100 29.54600 $2,954.60
250 27.11500 $6,778.75

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN38N100P-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN38N100P

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Descripción MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 38 A (Tc) 1000W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN38N100P
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 210mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 6.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 350nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 24000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1000W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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