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IXFN360N10T Canal N Montaje de chasis 100V 360 A (Tc) 830 W (Tc) SOT-227B
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 20.99000 $20.99
10 19.08000 $190.80
30 17.64900 $529.47
100 16.21800 $1,621.80
250 14.78700 $3,696.75
500 13.83300 $6,916.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN360N10T-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN360N10T

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Descripción MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 100V 360 A (Tc) 830 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN360N10T
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 360 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 180 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 505nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 36000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 830 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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