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IXFN27N80 Canal N Montaje de chasis 800V 27 A (Tc) 520 W (Tc) SOT-227B
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Cantidad
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1 32.20000 $32.20
10 29.78500 $297.85
30 27.37000 $821.10
100 25.43800 $2,543.80
250 23.34500 $5,836.25

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN27N80-ND
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Cantidad disponible 151
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN27N80

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Descripción MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 800V 27 A (Tc) 520 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFK(27,25)N80, IXFN(27,25)N80
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V, 15 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 13.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 400nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9740pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 520 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
California Prop 65
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10
Otros nombres 468185
Q1653251

03:02:05 11/15/2018