Agregar a favoritos
IXFN26N90 Canal N Montaje de chasis 900V 26 A (Tc) 600 W (Tc) SOT-227B
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 34.16000 $34.16
10 31.59800 $315.98
30 29.03600 $871.08
100 26.98640 $2,698.64
250 24.76600 $6,191.50

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN26N90-ND
Copiar   IXFN26N90-ND
Cantidad disponible 229
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IXFN26N90

Copiar   IXFN26N90
Descripción MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Copiar   MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 900V 26 A (Tc) 600 W (Tc) SOT-227B

Copiar   Canal N Montaje de chasis 900V 26 A (Tc) 600 W (Tc) SOT-227B
Documentos y medios
Hojas de datos IXFN(26,25)N90
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 26 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 13 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 240nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 600 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Recursos adicionales
Envase estándar ? 10

05:40:24 11/14/2018