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IXFN24N100 Canal N Montaje de chasis 1000V 24 A (Tc) 568 W (Tc) SOT-227B
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1 33.86000 $33.86
10 31.32100 $313.21
30 28.78100 $863.43
100 26.74940 $2,674.94
250 24.54852 $6,137.13

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN24N100-ND
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Número de pieza del fabricante

IXFN24N100

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Descripción MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
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Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 1000V 24 A (Tc) 568 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN24N100
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 390 mOhm a 12 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5.5 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 267nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 568 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
California Prop 65
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