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IXFN230N10 Canal N Montaje de chasis 100V 230 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 40.53000 $40.53
10 37.90400 $379.04
30 35.05600 $1,051.68
100 32.86500 $3,286.50
250 30.67400 $7,668.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IXFN230N10-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IXFN230N10

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Descripción MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
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Descripción detallada

Canal N Montaje de chasis 100V 230 A (Tc) 700 W (Tc) SOT-227B

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Documentos y medios
Hojas de datos IXFN230N10
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Categorías
Fabricante IXYS
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 230 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 8 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 570nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 700 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
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